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隨著空氣潔凈度要求的提高，工藝對溫濕度的要求也越來越高，應該達到一定的溫濕度等級。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。

潔凈室的溫濕度一般來說是根據您的加工工藝要求來確定，在滿足加工工藝的條件下，**需要思考人的舒適感。

直徑100微米的硅片，溫度上升1度，就導致了0.24微米的線性膨脹，因此一定得有±0.1度的溫度恒定，與此同時需求是的濕度值一般低一些，所以人在流汗之后，會對產品出現污染的情況，尤其是在半導體車間里，這樣的車間不要大于25度左右。假如濕度超過導致的問題更加多。相對濕度越過百分之五十的時候，冷卻水管壁上會凝結露水，假設發生在*密裝置又或者是電路里，就可能會導致不一樣的問題。

相對濕度在一半的時候較容易生銹。不過對于大部分潔凈空間里面，希望預防外部的污染情況，得保持內部的壓強需要超過外面的壓強。壓力差的維持一般應符合下列的一些原則：

1、潔凈度層級較高的空間的壓強需要超過相近的潔凈度層級較低的空間的壓強。

2、潔凈室的壓強要高于非潔凈空間的壓力。壓力的差距的維持依靠新風量，這個新風量要能補充在這一壓力差下從縫隙漏少掉的風數量。因此壓強差的含義就是漏泄(或滲透)風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻礙。

3、連通的潔凈室里的門得開向潔凈層級相對高的空間內。

對于亂流潔凈室因為主要憑借空氣的稀釋能力來減緩室內污染的層級，因此主體是采取換氣數量這一問題，而不直接運用速率的理念，不過對室里氣體流動速度也有相當的需求。